Ion Beam Sputter System

IBSD(Ion Beam Sputtering Deposition)은 이온빔을 타겟에 충돌시킴으로써 Sputtering되는 입자를 기판에 증착시키는 방법이다.
고품질의 박막 제조에 사용되는 방법으로 저온 공정이며 고진공에서 증착이 가능하므로 20%까지 박막내에 포집될수 있는 Ar가스의 박막 내부 오염을 배제할
수 있고, 이온빔 에너지와 이온빔 밀도의 독립적인 조절에 의한 우수한 재현성 및 신뢰성, 기판과 박막의 우수한 접착력의 특성을 띄게 된다.

Details

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• IBS system is designed for uniformity film coating of 4 substrates, with diameter
  300 mm. Typical applications of the system are making multilayer films. Ion bombardment
  is possible to control film characteristics or pre-clean the substrate.
  IBS system is equipped with ion beam sputter source and assistant ion beam source.

  Specification	Substrate diameter : 300 mm x 4ea Ion beam source : - Sputter source : INFO 150G model - Assistant source : INFO 150G or INFO 250G Neutralizer : RF type neutralizer (filament-less type) Typical deposition rate : SiO2 3Å/min, Ta2Ox 4Å/min Uniformity : ≤ 1.5% Base pressure: ≤ 2 x 10-7 torr OMS (Optical Monitoring System) : optional part Software interfaces : HMI programing base GUI software
  Application	- Magnetic material multilayer films deposition - Optical multilayers deposition - Dielectric and metal layer deposition - Simply ion beam cleaning